8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S9100HR3 MRF8S9100HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
36
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=28Vdc,IDQ
= 500 mA, Pulsed CW, 10
μsec(on), 10% Duty Cycle
54
52
50
37 38
Actual
Ideal
55
53
49
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
51
56
35
34
33
30
32
31
57
f = 960 MHz
47
46
48
27 2928
f = 940 MHz
f = 920 MHz
f = 960 MHz
f = 940 MHz
f = 920 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
920
166
52.2
199
53.0
940
158
52.0
195
52.9
960
166
52.2
209
53.2
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
?
Zload
?
920
P1dB
3.96 -- j2.74
1.60 + j0.12
940
P1dB
3.67 -- j2.95
1.57 + j0.22
960
P1dB
3.31 -- j3.07
1.53 + j0.32
Figure 13. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
相关PDF资料
MRF8S9120NR3 FET RF N-CH 900MHZ QM780-2
MRF8S9170NR3 FET RF N-CH 900MHZ 28V OM780-2
MRF8S9200NR3 MOSFET RF N-CH 58W OM780-2
MRF8S9220HSR3 FET RF N-CH 900MHZ 28V NI780S
MRF8S9260HSR3 FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-880HS
MRF9002NR2 MOSFET RF N-CHAN 26V 2W 16-PFP
MRF9030NBR1 IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2
MRF9045LR1 IC MOSFET RF N-CHAN NI-360
相关代理商/技术参数
MRF8S9102NR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 50W OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S9120NR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 120W OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S9170NR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHz 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S9170NR3_10 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
MRF8S9200NR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHz 58W OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S9200NR3_10 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
MRF8S9202GNR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHz 58W OM780-2G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S9202N 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET